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EUV 리소그래피의 다음 세대를 주도할 램리서치의 기술 리더십 증명
캘리포니아주 프리몬트에, 2022년 6월 15일 /PRNewswire/ -- 램리서치(Nasdaq: LRCX)는 오늘 SK하이닉스가 첨단 DRAM 칩 생산의 두 가지 핵심 공정 단계를 위한 개발 도구로 램리서치의 혁신적인 건식(드라이) 레지스트 제조 기술을 채택했다고 발표했다. 램리서치가 2020년 선보인 EUV 리소그래피를 위한 건식(드라이) 레지스트 신기술은 차세대 반도체 생산에 사용되는 핵심 기술인 극자외선(EUV) 리소그래피의 해상도, 생산성, 수율을 개선한다.
램리서치는 SK하이닉스와의 협업 및 건식(드라이) 레지스트 기술에 대한 반도체 생태계 파트너와의 지속적인 협력을 통해 EUV 리소그래피를 사용하여 미래의 메모리 노드 확장에 관련된 장애물을 제거할 수 있도록 패터닝 혁신을 추진하는 데 주도적인 역할을 계속하고 있다.
램리서치의 건식(드라이) 레지스트 제품군 총괄 매니저인 리차드 와이즈(Richard Wise) 부사장은 "램리서치의 건식(드라이) 레지스트 기술은 게임 체인저가 될 것이다. 재료 수준의 혁신을 통해 EUV 리소그래피의 가장 큰 과제를 해결하고 고급 메모리와 로직에 대한 비용 효율적인 확장을 가능하게 할 것"이라며 "DRAM 기술 혁신을 가속하기 위해 SK하이닉스와의 오랜 협력을 지속하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다."라고 밝혔다.
SK하이닉스는 램리서치의 건식(드라이) 레지스트 하층막(underlayer)과 건식(드라이) 개발 공정을 첨단 DRAM 패터닝에 활용할 예정이다. SK하이닉스 미래기술연구원 R&D 공정 담당 이병기 부사장은 "DRAM 공정이 지속해서 미세화됨에 따라 EUV 패터닝 혁신은 오늘날 점점 더 긴밀하게 연결되는 디바이스에 요구되는 성능을 고객에게 적합한 비용으로 제공하는 데 있어 매우 중요한 요소"라며 "램리서치와 협력하고 있는 건식(드라이) 레지스트 기술은 매우 정밀하고 결함이 적으며 패터닝 비용도 저렴하다."라고 말했다.
칩 제조업체는 첨단 기술 노드로 이동함에 따라 웨이퍼에서 더 작고 미세한 칩 설계 문제를 해결해야 한다. 램리서치가 ASML 및 다국적 반도체 연구소 imec 과의 협력으로 처음 개발한 건식(드라이) 레지스트 기술은 EUV 리소그래피를 위한 기존의 화학적으로 증폭된 레지스트 패터닝에 비해 여러 이점을 제공한다. 건식(드라이) 레지스트 기술 솔루션은 EUV 감도와 각 웨이퍼 통과 시의 해상도를 크게 향상시켜 패턴이 웨이퍼에 더욱 잘 밀착되고 성능과 수율이 향상된다. 또한 램리서치의 건식(드라이) 레지스트 개발 접근 방식은 기존의 화학적 습식 레지스트 공정에 비해 에너지 소비량이 적고 원료를 5~10배 적게 사용하여 지속 가능성 측면에서도 큰 이점을 제공한다.
추가 자료: Why New Photoresist Technology Is Critical (새로운 포토레지스트 기술이 중요한 이유)
램리서치 소개
램리서치(NASDAQ: LRCX)는 반도체 산업에 혁신적인 웨이퍼 제조 장비 및 서비스를 제공하는 글로벌 공급 업체이다. 램리서치의 장비와 서비스를 통해 고객은 더 작고 우수한 성능의 장치를 구현할 수 있다. 사실상 오늘날 거의 모든 최첨단 반도체 칩은 램리서치의 기술력으로 생산되고 있다. 램리서치는 우수한 시스템 엔지니어링, 기술 리더십, 강력한 가치 기반 문화를 바탕으로 고객에 대한 확고한 약속을 이행한다. 램리서치는 FORTUNE 500® 기업으로, 캘리포니아주 프리몬트에 본사가 있으며, 전 세계 각지에 사업부를 두고 있다. 램리서치에 대한 보다 자세한 사항은 http://www.lamresearch.com/ko 에서 확인할 수 있다. (LRCX-P)
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