-- 태양전지용 갈륨 도핑 실리콘 웨이퍼에 대한 권리
(베이징 2019년 10월 11일 PRNewswire=연합뉴스) JA Solar가 태양전지용으로 갈륨 도핑 실리콘 웨이퍼를 사용하는 지적 재산에 대한 라이선스를 얻고자 일본 신에츠화학(Shin-Etsu Chemical)과 계약을 체결했다. 신에츠화학은 실리콘 크리스털에서 갈륨을 도핑하고, 갈륨 도핑 p형 결정형 실리콘 웨이퍼를 태양전지 제조에 사용하는 것과 관련해 여러 특허를 보유하고 있다. 최근 일본 도쿄에서 공식적인 계약 체결식이 열렸으며, 이후 JA Solar는 해당 특허 범위의 다양한 국가와 지역에 대한 IP 권리를 확보했다.
붕소 도핑 p형 실리콘 웨이퍼를 사용하는 태양전지는 오랜 세월 동안 최초 일광 노출 이후의 광열화(light induced degradation, LID) 문제에 시달려왔으며, 이는 널리 알려진 사실이다. 최근 수년 사이 PERC 전지 구조가 채택되면서 붕소 도핑 실리콘 웨이퍼로 만든 태양전지의 LID 문제는 더욱 심각해졌다. 갈륨 도핑 실리콘 웨이퍼를 사용하면 이와 같은 문제를 효과적으로 완화시켜, p형 실리콘 웨이퍼 기반 태양전지로 조립된 PV 모듈의 성능을 보장하고, 더 안정적이고 우수한 장기 에너지 발전을 기대할 수 있다.
JA Solar 이사회 의장 Jin Baofang은 "태양전지 용도에 갈륨 도핑 실리콘 웨이퍼를 사용하면, 태양전지와 PV 모듈의 성능을 높일 뿐만 아니라 장기적인 신뢰도도 향상시킬 수 있다"라며 "자사는 중국과 기타 국가에서 양면 PERC 기술을 포함해 몇몇 주요 기술에 대한 특허를 보유하고 있는 만큼, IP 보호 시스템을 활용해왔으며, 항상 IP 보호를 지지한다"고 말했다. 이어 그는 "자사에 갈륨 도핑 결정형 실리콘 기술에 대한 IP 권리를 부여한 신에츠화학에 깊은 감사를 드린다"라면서 "이는 자사가 첨단 기술을 도입하고, 업계 지적 재산 보호를 지원하는 데 있어 중요한 단계다. 앞으로도 자사는 기술 혁신과 끊임없는 성능 개선을 통해 고성능 PV 제품과 클린 에너지 솔루션을 개발하고, 전 세계 고객에게 이를 공급할 것"이라고 설명했다.
